IR2184S, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

HALF-BRIDGE DRIVER

IR2184 (4) (S) высокое напряжение, высокоскоростная мощность MOSFET и IGBT водители с зависимым высоким и низким
Справочные выходные каналы. Запатентованная HVIC и защелка иммунитет CMOS Technologies обеспечивает прочную монолитную конструкцию. А Логический вход совместим со стандартным CMOS или вывод LSTTL, до 3,3 В логика. Выходные драйверы имеют
Стадия буфера с высоким током импульса, предназначенная для минимального перекрестного проводника драйверов. Плавучий канал может быть Используется для управления N-канальным мощным MOSFET или IGBT в конфигурации с высокой стороной, которая работает до 600 вольт

The IR2184(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard
CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.

ДРАЙВЕР, MOSFET HIGH/LOW, 2184, SOIC8 Тип микросхемы драйвера Выходы на стороне высокого и низкого напряжения, . Напряжение, выход 620 В Выходной ток 1,9 А Мощность рассеивания Pd 0,625 Вт Напряжение питания, мин. питание 10 В Тип корпуса SOIC Количество контактов 8 Диапазон рабочих температур от -40°C до +125°C Базовый номер 2184 Общий номер IC 2184 Номер логической функции 2184 Temp, Op. Макс. темп. 125°C, раб. Мин. -40°C Тип клеммы SMD Напряжение, смещение 600 В Напряжение, выходное напряжение макс. 20 В, выходное минимальное напряжение 10 В, питание макс. 20 В Выходной сток Мин. 1700 мА Выходной ток источника Мин. 1700 мА

Корпус SO-8, Кол-во обнаружения наблюдения 1, Кол-во верхних измерений 1, Максимальное значение напряжения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 1,9 А, Максимальный выходной ток спада 2,3 А

Технические параметры

Конфигурация полумост

Тип канала независимой

Кол-во каналов 2

Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET

Напряжение питания, В 10…20

Логическое напряжение (VIL), В 0,8

Логическое напряжение (VIH), В 2,7

Пиковый выходной ток нарастания (Источник), А 1.9

Пиковый выходной ток спада (Мойка), А 2.3

Тип входа неинвертирующий

Максимальное напряжение напряжения, В 600

Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 40

Номинальное время затухания (Fall Time), нс 20

Рабочая температура, °С -40…+150(ТДж)

Корпус soic-8 (0,154 дюйма)

Вес, г 0,15