MMBT5551, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Транзистор NPN общего назначения. Vceo=160 В, Ic=600 мА, Ptot=250 мВт, hfe=80…250, ft=100 МГц

Обозначение типа: MMBT5551

Код SMD-транзистора: 3S_G1_K4N

Материал транзистора: Si

Полярность: НПН

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 0,2 Вт

Максимальное напряжение коллектор-база |Vcb|: 180 В

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |Vce|: 160 В

Максимальное напряжение эмиттер-база |Veb|: 5 В

Максимальный ток коллектора |Ic max|: 0,6 А

Максимум. Рабочая температура перехода (Tj): 175 °C

Частота перехода (футы): 100 МГц

Емкость коллектора (Cc): 10 пФ

Коэффициент прямой передачи тока (hFE), МИН: 80

Коэффициент шума, дБ: -

корпус: SOT23

General Purpose NPN Transistor. Vceo=160V, Ic=600mA, Ptot=250mW, hfe=80…250, ft=100 MHz

Type Designator: MMBT5551

SMD Transistor Code: 3S_G1_K4N

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.2 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 180 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 160 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.6 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C

Transition Frequency (ft): 100 MHz

Collector Capacitance (Cc): 10 pF

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 80

Noise Figure, dB: -

Package: SOT23