BT40T60ANFU, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Транзистор IGBTBT40T60ANF – это N-канальный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от производителя Crystek, рассчитанный на работу с напряжением до 600 Вольт и номинальным током 40 Ампер, предназначенный для применения в мощной силовой электронике, такой как сварочные аппараты и частотные преобразователи. Этот компонент обеспечивает быстрое переключение и высокую эффективность в схемах управления мощными электродвигателями и других источниках питания, где важны надежность и стабильность работы. 

Основные характеристики: 

• Тип: N-канальный IGBT.
• Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В.
• Ток коллектора: 40 А (номинальный).
• Тип корпуса: TO-3P, TO-247 или аналогичный.
• Назначение: Ремонт и обслуживание электронных плат сварочных аппаратов (например, инверторов), частотно-регулируемых приводов, импульсных регуляторов тока.

Принцип работы и применение:

IGBT-транзистор сочетает в себе преимущества полевого транзистора (управление входным сигналом) и биполярного транзистора (высокая проводимость). Это позволяет управлять мощной нагрузкой с помощью сигнала малой мощности, что обеспечивает высокий КПД и надежность устройств. Благодаря своим характеристикам, BT40T60ANF находит широкое применение в: 

• Сварочных аппаратах:
  
  Обеспечивает управление силовыми компонентами инверторов.
• Частотных преобразователях:
  
  Используется в системах управления мощными электродвигателями.
• Источниках бесперебойного питания (ИБП):
  
  Для преобразования и стабилизации напряжения.

Преимущества: 

• Высокий КПД и надежность:
  
  Обеспечивает стабильную работу мощного оборудования.
• Быстродействие:
  
  Важно для эффективного управления в силовых цепях.
• Универсальность:
  
  Применяется в различных мощных электронных системах.

Наименование: BT40T60ANF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 280

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25, A: 80

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7

Максимальная температура перехода (Tj), : 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 50

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 170

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 165

Тип корпуса: TO3P