FGA25N120ANTD, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

IGBT, DC=50A, Vce(on)=2.5V, Pd=312W, V(br)ceo=1.2kV, корпус- TO-3P-3, tmax -150°C

FGA25N120ANTD от компании Fairchild является NPT траншейным БТИЗ 1200В 25А сквозного монтажа в корпусе TO-3P. БТИЗ обеспечивает превосходную проводимость, коммутационные характеристики, высокую лавинную надежность и простоту параллельной работы. Это устройство хорошо подходит для приложений с резонансным или мягким переключением.

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 1.2кВ

• Ток коллектора 50А при 25°C

• Непрерывный прямой ток диода 50А при 25°C

• Диапазон рабочей температуры перехода от - 55°C до 150°C

• Максимальное рассеивание мощности 312Вт при 25°C

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.65В при Ic=50А • Максимальное прямое напряжение диода 3В при IF = 25А

• Пиковый ток обратного восстановления диода 40А

The IGBT is insulated-gate bipolar transistor.

Part Number : FGA25N120, FGA25N120ANTD

Function : 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

Package : TO-3P TYPE

Manufactures : Fairchild

Using Fairchild’s proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating, microwave oven.

1. NPT Trench Technology, Positive Temperature Coefficient 2. Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2.0 V @ IC = 25 A and TC = 25

C 3. Low Switching Loss: Eoff, typ = 0.96 mJ @ IC = 25 A and TC = 25

C 4. Extremely Enhanced Avalanche Capability