H20R1203 (IHW20N120R3), покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode, Vces=1200V, Vce(sat)=1,48V, Ic=20A, Ptot=310WНаименование: IHW20N120R3 Тип транзистора: IGBT + Diode Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25, A: 40 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.48 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4 Максимальная температура перехода (Tj), : 175 Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50 Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 211 Тип корпуса: TO247

Транзистор H20R1203 (полное наименование IHW20N120R3, производитель Infineon) — это IGBT-транзистор N-типа с обратной проводимостью (со встроенным диодом), предназначенный для мощных высокочастотных применений. 

Основные характеристики и описание 

• Тип: IGBT N-типа со встроенным монолитным обратным диодом (Reverse Conducting IGBT).
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1200 В.
• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 А.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 310 Вт.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): низкое, около 1,48 В при 25°C.
• Корпус: TO-247.
• Особенности: разработан по технологии TRENCHSTOP, имеет низкие потери при переключении и низкий уровень электромагнитных помех (EMI). 

Применение

Благодаря своим характеристикам (высокое напряжение пробоя, низкие потери), этот транзистор широко используется в силовой электронике: 

• Индукционные плиты и печи.
• Инверторы для микроволновых печей.
• Резонансные преобразователи (конвертеры).
• Приводы с регулируемой скоростью (VSD) для двигателей.
• Системы возобновляемой энергии (например, солнечные инверторы).
• Применения с мягким переключением (soft switching applications). 

Как проверить транзистор H20R1203 (IGBT) мультиметром

Для базовой проверки исправности IGBT-транзистора можно использовать цифровой мультиметр в режиме прозвонки диодов или измерения сопротивления. IGBT-транзистор имеет три вывода: Затвор (G), Коллектор (C), Эмиттер (E).

Важно: Перед проверкой убедитесь, что транзистор извлечен из схемы и разряжен.

Процедура проверки: 

• Подготовка мультиметра: Установите мультиметр в режим прозвонки диодов (обычно значок диода или зуммера).
• Проверка перехода Коллектор-Эмиттер (К-Э) и встроенного диода:
  • Подключите красный щуп к Эмиттеру (E), а черный щуп к Коллектору (C). Мультиметр должен показать падение напряжения (обычно от 0.4 до 0.9 В), так как в транзисторе встроен диод.
  • Поменяйте щупы местами (красный к C, черный к E). Мультиметр должен показать "обрыв" или "1" (бесконечное сопротивление), так как ток через закрытый IGBT не должен течь в обратном направлении (кроме тока через диод, который мы исключили первым измерением).
• Проверка затвора (G):
  • Измерьте сопротивление между Затвором (G) и Эмиттером (E), а затем между Затвором (G) и Коллектором (C). В обоих случаях мультиметр должен показать "обрыв" или "1" (очень высокое сопротивление), поскольку затвор изолирован.
• Проверка на замыкание (КЗ):
  • Если на каком-либо этапе вы измерили короткое замыкание (показания близки к нулю или звучит зуммер) там, где должен быть "обрыв" или падение напряжения диода, транзистор неисправен. 

Примечание: Этот метод позволяет выявить явные неисправности (КЗ, обрыв). Для полной проверки рабочих характеристик (например, при подаче управляющего напряжения на затвор и проверке открывания/закрывания) требуется специальный тестер IGBT или схема.