HGTG27N120BN, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

IGBT, DC=72A, Vce(on)=2.7V, Pd=500W, V(br)ceo=1.2kV, корпус-TO-247-3, tmax-150°C

HGTG27N120BN представляет собой БТИЗ без пробивки (NPT).
Это новый представитель МОП-транзисторов с высоковольтным переключающим IGBT.
семья. БТИЗ сочетают в себе лучшие характеристики МОП-транзисторов и биполярных транзисторов.
транзисторы. Это устройство имеет высокий входной импеданс MOSFET.
и низкие потери проводимости в открытом состоянии биполярного транзистора.
IGBT идеально подходит для многих высоковольтных коммутационных приложений.
работает на умеренных частотах, где низкие потери проводимости
необходимые, такие как: управление двигателем переменного и постоянного тока, источники питания и
драйверы для соленоидов, реле и контакторов.


Функции
• 72 А, 1200 В, ТП = 25°С
• Переключение 1200 В, возможность SOA
• Типичное время спада 140 нс при TJ = 150°C
• Рейтинг короткого замыкания
• Низкие потери проводимости
• Тепловой импеданс модели SPICE с температурной компенсацией
САБЛЯ Модель
• Лавинный рейтинг
• Это устройство, не содержащее свинца.

HGTG27N120BN The HGTG27N120BN is Non−Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on−state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors. Formerly Developmental Type TA49280. Features • 72 A, 1200 V, TC = 25°C • 1200 V Switching SOA Capability • Typical Fall Time 140 ns at TJ = 150°C • Short Circuit Rating • Low Conduction Loss • Thermal Impedance SPICE Model Temperature Compensating SABER Model • Avalanche Rated • This is a Pb−Free Device