ISL9V3040D3S, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

EcoSPARK TM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT

Наличие встроенного диода нет

Максимальное напряжение КЭ ,В 430

Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21

Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 150

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс4800

Рабочая температура (Tj), °C -40…+175

Корпус d2-pak

Вес, г 2.5

Транзистор ISL9V3040D3S — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе D2-PAK, который работает как управляемый ключ в силовых электронных схемах при температурах от -40 до +175 °C. IGBT-транзисторы сочетают в себе преимущества полевых транзисторов (управление) и биполярных транзисторов (высокая проводимость), что делает их идеальными для работы с высокими напряжениями и токами. 

Основные характеристики и особенности: 

• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
• Корпус: D2-PAK.
• Рабочий диапазон температур: от -40 до +175 °C.
• Применение: Используется в качестве полностью управляемого ключа в силовых электронных устройствах.

Как работает IGBT-транзистор: 

• Управление:
  
  На затвор (gate) подается управляющее напряжение, которое контролирует состояние транзистора (открыт или закрыт).
• Силовой канал:
  
  Биполярная часть транзистора отвечает за проводимость тока в силовом канале.
• Принцип действия:
  
  В выключенном состоянии между базой и эмиттером создается PN-переход, который предотвращает прохождение тока. При подаче управляющего напряжения на затвор происходит инверсия слоя P-типа, устраняя PN-переход и открывая транзистор для протекания тока.

Преимущества технологии IGBT:

• Высокая мощность:
  
  IGBT-транзисторы рассчитаны на работу с очень высокими напряжениями (до 1000 В и выше), что превосходит возможности обычных MOSFET-транзисторов для такой же мощности. 
• Управление:
  
  Возможность точного управления током позволяет использовать их в качестве эффективных ключевых элементов в силовых преобразователях. 
• Гибридная структура:
  
  Сочетание полевого и биполярного транзисторов позволяет получить высокую эффективность и надежность.