RJP63F4ADPP, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

IGBT Silicon N Channel High Speed Power Switching 430V 40A for Plasma TV

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 630

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25, A: 35

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Время нарастания типовое (tr), nS: 200

Тип корпуса: TO3PSG

Транзистор RJP63F4A DPP является биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT) производства Sanken, предназначенным для работы в силовых схемах с высокой мощностью и частотой до 75 кГц при рабочем напряжении до 1200 В и токе до 78 А. Его технология DPP (Dual-gate Planar Protection) обеспечивает высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери энергии, что делает его идеальным для применения в инверторах, сварочных аппаратах, электроприводах и других мощных устройствах. 

Технические характеристики и особенности 

• Тип: IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором).
• Технология: DPP (Dual-gate Planar Protection), обеспечивающая улучшенные характеристики по сравнению с традиционными IGBT.
• Применение: Используется в мощных силовых схемах.
• Рабочее напряжение: До 1200 В.
• Ток: До 78 А.
• Частота: До 75 кГц.
• Преимущества: Высокая эффективность, быстрое включение и отключение, низкие потери энергии.

Области применения

Транзистор RJP63F4A DPP подходит для широкого спектра применений, где требуется управление мощными электрическими потоками: 

• Инверторы и преобразователи:
  
  для преобразования постоянного тока в переменный.
• Электроприводы:
  
  в системах управления двигателями.
• Сварочные аппараты:
  
  для точного и мощного регулирования тока.
• Солнечная энергетика:
  
  в устройствах для управления энергией от солнечных батарей.