2SK3878 (A), покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N-channel Silicon Power MOSFET, Vds=900V, Id=9A, Pd=150W Rds(on)=1 Ohm

Наименование прибора: 2SK3878

Маркировка: K3878

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 60 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 190 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P


Транзистор 2SK3878 представляет собой мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный в первую очередь для высоковольтных импульсных применений, таких как импульсные источники питания, преобразователи и инверторы.

Описание и характеристики
Транзистор 2SK3878 (также маркируемый как K3878) — это полевой транзистор с каналом N-типа, выполненный по технологии π-MOSIV. Он поставляется в корпусе TO-3P.
Ключевые характеристики (согласно данным Mouser Electronics и Utmel):

• Структура: N-канальный MOSFET (с режимом обогащения)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 900 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 9 А (при Ta=25°C)
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 Вт (при Tc=25°C)
• Сопротивление открытого канала Rds(on): типично 1,0 Ом (максимум 1,3 Ом)
• Напряжение затвор-исток (Vgs): ±30 В
• Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C

Применение
Благодаря своим характеристикам (высокое напряжение пробоя, низкое сопротивление во включенном состоянии и высокая скорость переключения), 2SK3878 широко используется в мощной электронике:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC/DC-преобразователи
• Инверторы
• Сварочное оборудование
• Схемы управления двигателями
• Силовые цепи и аудиоусилители

Проверка
Для проверки полевого транзистора, такого как 2SK3878, обычно требуется извлечь его из схемы. Используется мультиметр, переведенный в режим прозвонки диодов или измерения сопротивления.
Цоколевка (корпус TO-3P):

1. G (Затвор)
2. D (Сток, подключен к металлическому основанию/радиатору)
3. S (Исток) 

Пошаговая проверка N-канального MOSFET:

1. Проверка канала сток-исток на наличие короткого замыкания:
   • Установите мультиметр в режим прозвонки диодов.
   • Подключите красный щуп к Истоку (S), а черный — к Стоку (D). Мультиметр должен показать падение напряжения на встроенном диоде (обычно от 400 до 800 мВ).
   • Поменяйте щупы (красный на D, черный на S). Мультиметр должен показать обрыв или очень большое сопротивление. Если показания близки к нулю в обоих направлениях, транзистор, скорее всего, пробит.
2. Проверка затвора:
   • Подключите черный щуп к Истоку (S), а красный — к Затвору (G). Мультиметр должен показать обрыв (высокое сопротивление), так как затвор изолирован.
   • Поменяйте щупы (красный на S, черный на G). Также должен быть обрыв. Если мультиметр показывает низкое сопротивление, затвор, скорее всего, поврежден (пробой затвора).
3. Проверка управления (открытие/закрытие):
   • Подключите черный щуп к Стоку (D), а красный — к Истоку (S) (режим обратного смещения диода). Показания должны быть близки к обрыву.
   • "Зарядите" затвор: кратковременно прикоснитесь положительным щупом (красным) к Затвору (G), а затем верните его обратно на Исток (S) (или оставьте на стоке). Транзистор должен "открыться", и мультиметр должен показать низкое сопротивление или падение напряжения, аналогичное короткому замыканию (если транзистор исправен и полностью открыт).
   • "Разрядите" затвор (закрытие): кратковременно прикоснитесь отрицательным щупом (черным) к Затвору (G). Транзистор должен "закрыться", и показания мультиметра должны вернуться к высокому сопротивлению/обрыву.

Если транзистор не реагирует на "заряд" и "разряд" затвора описанным образом, он, вероятно, неисправен.