FQA28N50, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

500V N-Channel MOSFET, Vdss=500V, Id=28,4A, Pd=310W, Rds(on)=0,126 Ohm

Эти силовые полевые транзисторы с N-канальным улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor планарной полосовой технологии DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективного импульсного источника питания, коррекции коэффициента мощности, электронного балласта для ламп на основе полумоста.

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ON Semiconductor’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply, power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge.

Features 

• 28.4 A, 500 V, RDS(on) = 160 m (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 14.2 A

• Low Gate Charge (Typ. 110 nC)

• Low Crss (Typ. 60 pF)

• 100% Avalanche Tested

• RoHS compliant