FQP13N10, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

FQP13N10 — это силовой N-канальный МОП-транзистор QFET® с напряжением пробоя 100В, работающий в режиме обогащения. Он разработан компанией Fairchild Semiconductor с использованием запатентованной технологии DMOS для минимизации сопротивления канала в открытом состоянии. 

Основные характеристики и особенности: 

• Тип: Силовой N-канальный полевой транзистор MOSFET.
• Напряжение: 100В.
• Технология: QFET® и DMOS.
• Назначение: Управляет потоком носителей заряда в канале посредством электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Ключевые параметры (могут варьироваться в зависимости от конкретной модели и производителя): 

• Напряжение сток-исток (Vds): 100 В.
• Ток постоянного стока (Id): 12.8 А.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pmax): 65 Вт.
• Тип корпуса: TO-220.

Применение:

Благодаря своим характеристикам, FQP13N10 подходит для применения в силовых схемах, где требуется эффективное переключение и управление электрическими сигналами. 

N-Channel QFET MOSFET,Vdss=100V, Id=12,8A, Rds(on)=0,18 Ohm, Pd=65W

Наименование прибора: FQP13N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220