FQPF4N90C, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N-канальный QFET MOSFET, Vdss=900 В, Id=4 А, Rds(on)=4,2 Ом, Pd=47 Вт

FQPF4N90C ОНСЕМИ

Транзистор: N-МОП-транзистор; однополярный; 900В; 2,3А; 47 Вт; ТО220ФП

Полярность транзистора: N-канал

Идентификатор постоянного тока стока: 4А

Напряжение источника стока Vds: 900 В

Сопротивление Rds (вкл.): 3,5 Ом

Rds(on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В

Монтаж транзистора: Сквозное отверстие

Пороговое напряжение Vgs: 5 В

Рассеиваемая мощность Pd: 47 Вт

Тип корпуса транзистора: TO-220F

Количество контактов: 3 контакта

Максимальная рабочая температура: 150°C

N-Channel QFET MOSFET,Vdss=900V, Id=4A, Rds(on)=4,2 Ohm, Pd=47W

FQPF4N90C ONSEMI

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 47W; TO220FP

Transistor Polarity: N Channel

Continuous Drain Current Id: 4A

Drain Source Voltage Vds: 900V

On Resistance Rds(on): 3.5ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V

Transistor Mounting: Through Hole

Threshold Voltage Vgs: 5V

Power Dissipation Pd: 47W

Transistor Case Style: TO-220F

No. of Pins: 3Pins

Operating Temperature Max: 150°C

Product Range: -