JCS7N65FB, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Транзистор JCS7N65FB (или MDF7N65B) — это N-канальный полевой транзистор (MOSFET), предназначенный для управления током в электрических схемах. Он способен выдерживать максимальное напряжение сток-исток 650 В и имеет максимальную рассеиваемую мощность 42 Вт. Корпус этого транзистора — TO-220F. 

Основные характеристики: 

• Тип: Полевой транзистор (MOSFET).
• Структура: N-канал.
• Максимальное напряжение сток-исток (Uси): 650 В.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pси): 42 Вт.
• Тип корпуса: TO-220F.

Назначение:

JCS7N65FB относится к классу полевых транзисторов, которые используют электрическое поле для управления проводимостью канала. Он применяется в различных электронных устройствах для коммутации и усиления сигналов, где требуются высокая надежность и мощность. 

Принцип работы (общий для MOSFET):

В MOSFET-транзисторе управление током между истоком и стоком осуществляется с помощью напряжения, приложенного к затвору. Это напряжение изменяет сопротивление канала, тем самым регулируя протекающий через него ток. 

Отличия от других типов транзисторов:

В отличие от биполярных транзисторов, в полевых транзисторах (униполярных) перенос заряда осуществляется либо электронами (в N-канальных), либо дырками (в P-канальных), а не обоими типами носителей. 

N-chanell Q-FET MOSFET, Vds=650V, Id=7A, Pd=52W, Rds(on)=1,4 Ohm

Наименование прибора: JCS7N65FB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V

|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj - Максимальная температура канала: 150 °C

Qg - Общий заряд затвора: 25 nC

tr - Время нарастания: 80 ns

Coss - Выходная емкость: 115 pf

Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220MF