HUF75344G, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N Channel, Id=75A, Vds=55V, Rds(on)=0.008ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=285W, корпусTO-247-3, t-175°C

Мощный МОП-транзистор N-Channel UltraFET
55 В, 75 А, 8 мОм
Эти силовые N-канальные МОП-транзисторы производятся используя инновационный процесс UltraFET. Этот передовой технологический процесс обеспечивает минимально возможное сопротивление включению на единицу площади кремния, что приводит к выдающимся спектакль. Это устройство способно выдерживать высокие энергии в лавинном режиме и диод показывает очень малое время обратного восстановления и сохраненный заряд. Это было предназначен для использования в приложениях, где энергоэффективность важные, такие как переключающие регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле, низковольтная шина переключатели и управление питанием в портативных устройствах и продуктах с батарейным питанием.

Ранее тип разработки TA75344.
Функции
• 75А, 55В

N-Channel UltraFET Power MOSFET
55 V, 75 A, 8 mΩ
These N-Channel power MOSFETs are manufactured
using the innovative UltraFET process. This advanced
process technology achieves the lowest possible onresistance per silicon area, resulting in outstanding
performance. This device is capable of withstanding high
energy in the avalanche mode and the diode exhibits very
low reverse recovery time and stored charge. It was
designed for use in applications where power efficiency is
important, such as switching regulators, switching
converters, motor drivers, relay drivers, low-voltage bus
switches, and power management in portable and batteryoperated products.
Formerly developmental type TA75344.
Features
• 75A, 55V
• Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™
Models
- Thermal Impedance PSPICE and SABER Models
Available on the web at: fairchildsemi.com
• Peak Current vs Pulse Width Curve
• UIS Rating Curve
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”