SPA11N80C3, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Cool MOS N-channel Power Transistor, Vds=800V, Id=11A, Pd=41W, Rds(on)=0,45 Ohm

Наименование прибора: SPW11N80C3

Маркировка: 11N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 65 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO247

Транзистор 11N80C3 (например, SPP11N80C3 или SPW11N80C3) представляет собой N-канальный полевой (MOSFET) транзистор, предназначенный для использования в мощных электронных схемах, таких как импульсные источники питания и преобразователи. 

Описание и характеристики

Это мощный транзистор, разработанный с использованием технологии CoolMOS™ от Infineon, которая обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую устойчивость к лавинному пробою. 

• Тип транзистора: N-канальный полевой (MOSFET).
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 800 В.
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 11 А.
• Мощность рассеяния: до 155-156 Вт.
• Сопротивление канала в открытом состоянии ): около 0.45 Ом при 25°C.
• Тип корпуса: Чаще всего TO-220 (SPP11N80C3) или TO-247 (SPW11N80C3).
• Цоколевка: Стандартная для большинства MOSFET в корпусах TO-220/TO-247: Затвор (G), Сток (D), Исток (S) слева направо, если смотреть на маркировку транзистора (сток обычно соединен с металлическим основанием/фланцем). 

Применение

Благодаря своим высоким характеристикам напряжения и тока, транзистор 11N80C3 применяется в: 

• Импульсных источниках питания (SMPS).
• Преобразователях мощности.
• Системах управления двигателями.
• Усилителях большой мощности.
• Схемах освещения, где требуется коммутация высоких токов с низкими потерями.

Как проверить транзистор 11N80C3

Для проверки полевого N-канального транзистора 11N80C3 можно использовать цифровой мультиметр в режиме прозвонки диодов или измерения сопротивления. 

Помните: MOSFET чувствительны к статическому электричеству, поэтому при работе с ними следует соблюдать осторожность.

Проверка исправности мультиметром (режим диода)

• Цоколевка: Определите выводы (G - Затвор, D - Сток, S - Исток).
• Измерение перехода Сток-Исток (D-S):
  • Приложите черный щуп к Истоку (S), красный - к Стоку (D). Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем защитном диоде (обычно от 400 до 600 мВ). Это нормальное состояние.
  • Поменяйте щупы местами (красный к S, черный к D). Мультиметр должен показать бесконечно большое сопротивление (OL или "1" на экране). Если показания в обоих случаях близки к нулю или одинаковы, транзистор, скорее всего, пробит (короткое замыкание).
• Измерение Затвор-Исток (G-S) и Затвор-Сток (G-D):
  • Измерьте сопротивление между Затвором и любым другим выводом (Сток, Исток). В обоих направлениях мультиметр должен показывать очень высокое сопротивление (OL). Любое низкое значение указывает на пробой затвора. 

Проверка функции переключения (открытие/закрытие)

• "Заряд" затвора (открытие): Установите мультиметр в режим измерения сопротивления (например, 2 кОм) или прозвонки диодов.
• Приложите черный щуп к Истоку (S) и коснитесь красным щупом Затвора (G) на короткое время, чтобы подать небольшой заряд и "открыть" транзистор.
• Быстро переместите красный щуп со Затвора на Сток (удерживая черный на Истоке). Мультиметр должен показать низкое сопротивление (транзистор открыт).
• "Разряд" затвора (закрытие): Коснитесь Затвора (G) черным щупом (удерживая черный на Истоке), чтобы снять заряд с затвора.
• Снова измерьте сопротивление между Стоком и Истоком (красный щуп на D, черный на S). Мультиметр должен показать высокое сопротивление (OL), что означает, что транзистор закрылся.

Если транзистор не открывается или не закрывается при выполнении этих шагов, он неисправен.