STD5NM60T4, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N Channel, Id=5A, Vds=650V, Rds(on)=1ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=96W, корпус-TO-252-3, t-150°C

Транзистор STD5NM60 - это МОП-транзистор (MOSFET) типа N-канальный, предназначенный для силовых применений в качестве электронного ключа. Его основные характеристики включают низкое сопротивление канала в открытом состоянии, низкий уровень шума и способность работать в режиме переключения или усиления, что делает его подходящим для блоков питания, конвертеров и других импульсных схем. 

Описание и характеристики 

• Тип:
  
  N-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
• Назначение:
  
  Работа в качестве мощного электронного ключа, усилителя или генератора.
• Принцип работы:
  
  Управление током канала под воздействием напряжения на затворе.
• Применение:
  • Импульсные источники питания (SMPS): Позволяет эффективно управлять питанием в современных устройствах.
  • Конвертеры DC/DC: Для преобразования напряжения в различных электронных устройствах.
  • Управление электродвигателями: В силовых схемах для управления скоростью вращения и других параметров.
  • Защитные схемы: В системах защиты от перегрузки или короткого замыкания.
  • Другие силовые применения: В цепях с высокой нагрузкой и необходимостью быстрого переключения.

Преимущества

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)):
  
  Обеспечивает высокую эффективность и низкие потери при работе в качестве ключа. 
• Быстрое переключение:
  
  Позволяет использовать транзистор в высокочастотных схемах. 
• Совместимость:
  
  Легко интегрируется в современные электронные схемы благодаря своей универсальности. 

Технические особенности 

• Напряжение пробоя (Vds):
  
  600 В, что обеспечивает высокую пропускную способность по напряжению.
• Максимальный ток (Id):
  
  В зависимости от модели и условий работы, может достигать нескольких ампер.
• Низкий входной заряд (Qg):
  
  Улучшает характеристики управления транзистором и позволяет работать с более высокими частотами.

В целом, STD5NM60 является надежным и эффективным транзистором для различных силовых приложений, особенно там, где требуется быстрая коммутация и высокая эффективность.