STP70NS04Z, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N-channel clamped, Fully protected SAFeFET MOSFET, Id=80A, Rds(on)=10 mOhm, Ptot=180W

Наименование прибора: STP70NS04ZC

Маркировка: P70NS04ZC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 33 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 58 nC

STP70NS04ZC - это N-канальный полевой транзистор (MOSFET), предназначенный для коммутации больших токов и напряжений, например, в импульсных источниках питания и преобразователях постоянного тока. Его ключевые особенности - низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая стойкость к нагрузкам и высокая скорость переключения, что делает его подходящим для применения как в промышленных устройствах, так и в проектах радиолюбителей. 

Основные характеристики и применение: 

• Тип транзистора:
  
  Мощный N-канальный полевой транзистор (Power MOSFET).
• Применение:
  
  Используется в силовых схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы и коммутация в электроинструментах.
• Преимущества:
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии: (Rds(on)): Позволяет минимизировать потери энергии и повысить эффективность устройств.
  • Высокая нагрузочная способность: Благодаря большой толщине оксида кремния, способен выдерживать значительные выходные нагрузки.
  • Быстрое переключение: Обеспечивает эффективную работу в высокочастотных схемах.
  • Полные лавинные параметры: Указывают на его высокую надежность при работе в экстремальных условиях.

Принцип работы: 

• Полевой транзистор управляет током через канал между истоком и стоком с помощью управляющего напряжения, подаваемого на затвор.

В целом, STP70NS04ZC является востребованным компонентом для проектов, требующих управления высокими токами и напряжениями с высокой эффективностью и надежностью. 

Выходная емкость (Cd): 700 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220