BSM50GB120DN2, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Manufacturer:	Infineon
Product Category:	IGBT Modules
RoHS:	Details
Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C:	78 A
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA
Pd - Power Dissipation:	400 W
Package/Case:	Half Bridge1
Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Tray
Brand:	Infineon Technologies
Height:	30.5 mm
Length:	94 mm
Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V
Mounting Style:	Chassis Mount
Product Type:	IGBT Modules
Factory Pack Quantity:	10
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Width:	34 mm
Unit Weight:	177,145 g

Производитель: Инфинеон
Категория продукта: Модули IGBT
RoHS: подробности
Продукт: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: полумост
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: 1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,5 В
Непрерывный ток коллектора при 25°С: 78 А
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 нА
Pd — рассеиваемая мощность: 400 Вт
Упаковка/Чехол: полумост1
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Упаковка: Лоток
Торговая марка: Инфинеон Технологии
Высота: 30,5 мм
Длина: 94 мм
Максимальное напряжение эмиттера затвора: 20 В
Тип крепления: крепление на шасси
Тип продукта: Модули IGBT
10
Подраздел: БТИЗ
Технология: Си
Ширина: 34 мм

Вес блока: 177 145 г