AUIRGP50B60PD1, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

IGBT, DC=75A, Vce(on)=600V, Pd=390W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247AC-3, tmax-150°C

Наименование: AUIRGP50B60PD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 390

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25, A: 75

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.35

Тип корпуса: TO247

Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED диодом. Транзистор входит в семейство WARP2 транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления.

Типовыми приложениями для IGBT-транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты.

Для реализации мощных AC-DC преобразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада при выключении (так называемый «хвост»), что обеспечивает более высокую эффективность в сравнении с конкурентными приборами.

Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала. 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45 А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25 А (при тех же температурах). Падение на открытом транзисторе не превышает 2 В при токе коллектора 33 А. IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.