BTS2140-1B, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Ignition IGBT Features Most Rugged in Industry Logic-Level Gate Drive,Bvces=400V, Ic=14A, Pd=125W

Технические характеристики

Корпус TO-262 (D2-PAK)

Вес 1,3 г

IGBT 400V 14A_электронный ключ системы зажигания авто

Ток, A: 14

Напряжение, V: 400

IGBT с диодом: Без диода

Транзистор IGBT BTS2140-1B — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, имеющий характеристики до 14 А тока коллектора, до 430 В напряжения коллектор-эмиттер и рассеиваемую мощность 125 Вт. Он применяется в силовых схемах, таких как источники бесперебойного питания (ИБП), системы управления двигателями и сварочные аппараты, где важны высокая мощность, энергоэффективность и способность работать при значительных напряжениях. 

Описание BTS2140-1B 

• Тип устройства: Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT).
• Максимальный ток коллектора (Ic): 14 А.
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 430 В.
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт.
• Исполнение: Корпус D2PAK, что указывает на применение в силовых цепях, требующих хорошего отвода тепла.

Применение

• Преобразователи энергии:
  
  Используется в источниках бесперебойного питания (ИБП) для управления мощностью и обеспечения стабильного электропитания. 
• Системы управления двигателями:
  
  Применяется в электроприводах для точного и эффективного управления скоростью и мощностью двигателей. 
• Сварочные аппараты:
  
  Высокая мощность и большой ток делают его пригодным для использования в сварочных аппаратах. 
• Другие сферы:
  
  Применяется в солнечной энергетике, фотонике и других областях, требующих управления большими мощностями. 

Принцип работы и преимущества

• Высокая скорость переключения:
  
  IGBT транзисторы обладают высокой эффективностью и скоростью переключения, что критически важно для энергоэффективных систем. 
• Управление напряжением:
  
  Подобно МОП-транзисторам, IGBT управляются напряжением, что упрощает разработку управляющих схем. 
• Высокое напряжение и ток:
  
  Сочетание характеристик МОП-транзистора и биполярного транзистора позволяет им эффективно работать с высоким напряжением и током.