FGH30S130P, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Shorted-anode IGBT, Vces=1300 V, Ic=30 A, Vce(sat)=1,85 V,Pd=250W

Наименование: FGH30S130P

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1300

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25, A: 60

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3

Максимальная температура перехода (Tj), : 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 360

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 75

Тип корпуса: TO-247

Транзистор FGH30S130P — это мощный N-канальный IGBT-транзистор производства ON Semiconductor (или Fairchild Semiconductor) в корпусе TO-247, предназначенный для приложений с высоким напряжением и током, таких как инверторы, источники бесперебойного питания и индукционные печи. Ключевые характеристики включают напряжение коллектор-эмиттер 1300 В, номинальный ток 30 А при 100°C (60 А пиковый при 25°C), и встроенный диод. 

Основные характеристики: 

• Тип: IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor).
• Структура: N-канал, с встроенным диодом.
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1300 Вольт.
• Номинальный ток коллектор-эмиттер (Ic): 30 Ампер при температуре корпуса (ТК) 100°C.
• Пиковый ток коллектор-эмиттер (Ic): 60 Ампер при температуре корпуса (ТК) 25°C.
• Рассеиваемая мощность: 500 Ватт при ТК = 25°C, 250 Ватт при ТК = 100°C.
• Корпус: TO-247.

Области применения: Индукционные плиты, Инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП), Промышленные приборы. 

Преимущества: 

• Сочетает высокую входную мощность MOSFET с высокой проводимостью биполярных транзисторов.
• Спроектирован для применений, требующих высокой проводимости и хороших коммутационных характеристик.