APM4010N, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N-Channel Enhancement Mode MOSFET,Vds= 40V, Id=57A, Rds(on)=8.2 mOhm (typ.) @ VGS=10V, Rds(on)=13 mOhm (typ.) @ VGS=5V

Транзистор APM4010N (APM4010)

APM4010N - N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 40V, 57A, TO-252

 

Особенности, параметры, характеристики

• 40V/57A,
• RDS(ON) = 8.2mW (typ.) @ VGS = 10V
• RDS(ON) = 13mW (typ.) @ VGS = 5V
• Super High Dense Cell Design
• Reliable and Rugged
• Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant)

 

Применение

• Power Management in LCD monitor/TV inverter

Транзистор APM4010N — это N-канальный MOSFET-транзистор, используемый в инверторах ЖК-дисплеев и мониторов, выпускаемый в корпусе для поверхностного монтажа (D-PAK, TO-252). Основные характеристики включают рабочее напряжение 40 В, постоянный ток 57 А, сопротивление открытого канала 13 мОм, напряжение затвор-исток ±20 В и рассеиваемую мощность 50 Вт. 

Основные характеристики: 

• Тип: Полевой транзистор N-канала.
• Рабочее напряжение: 40 В.
• Максимальный ток (сток): 57 А.
• Сопротивление открытого канала: 13 мОм.
• Напряжение затвор-исток: ±20 В.
• Рассеиваемая мощность: 50 Вт.
• Корпус: D-PAK, TO-252 (для поверхностного монтажа).

Применение:

• Широко используется в инверторах ЖК телевизоров и мониторов. 
• Применяется в силовых электронных системах для управления двигателями, регулирования мощности и в других устройствах, требующих высокого тока при низких потерях. 

Принцип работы (MOSFET): 

• Это полевой транзистор, где поток носителей заряда (электронов в N-канале) контролируется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением между затвором и истоком.