FQU11P06TU, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

P Channel, Id=9.4A, Vds=60V, Rds(on)=0.185ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=38W, корпус, t-150°C

Наименование прибора: FQU11P06TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 40 ns

Выходная емкость (Cd): 195 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.185 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Транзистор

FQU11P06TU — это P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с режимом обогащения (Enhancement mode), предназначенный для использования в силовых цепях.

Основные характеристики 

• Тип транзистора: Полевой (MOSFET).
• Полярность: P-канал.
• Максимальное напряжение сток-исток : -60 В.
• Максимальный постоянный ток стока -9,4 А при температуре корпуса 25 °C и -5,95 А при 100 °C.
• Максимальная импульсная мощность -37,6 А.
• Максимальное напряжение затвор-исток : ±30 В.
• Сопротивление открытого канала -4,7 А.
• Тип корпуса: IPAK (TO-251). 

Применение 

Благодаря своим параметрам FQU11P06TU подходит для различных применений в электронике, требующих управления нагрузками средней мощности: 

• Импульсные источники питания.
• Аудиоусилители.
• Управление двигателями постоянного тока.
• Другие схемы коммутации. 

Отличия от FQU11P06 

Существует вариант транзистора FQU11P06 без суффикса «TU». Основное отличие заключается в типе упаковки для доставки: FQU11P06TU поставляется на ленте (Rail), тогда как FQU11P06 без суффикса — насыпью. С точки зрения электрических характеристик и корпуса (IPAK/TO-251) эти транзисторы идентичны.