IPA60R199CP, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N Channel, Id=16A, Vds=650V, Rds(on)=0.18ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=3V, Pd=34W, корпус-TO-220-3, t-150°C

Наименование прибора: IPA60R199CP

Маркировка: 6R199P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32 nC

Транзистор IPA60R199CP (маркировка 6R199P) — это полевой N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220-3, предназначенный для переключения в схемах, работающих при напряжении до 600 В. Он имеет сопротивление открытого канала Rds(on) около 0,18 Ом при напряжении затвора 10 В и максимальную рассеиваемую мощность 34 Вт. 

Основные характеристики: 

• Тип транзистора: Полевой MOSFET с N-каналом.
• Маркировка: 6R199P.
• Корпус: TO-220-3.
• Предельное напряжение сток-исток (Vds): 600 В.
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): ~0,18 Ом (при Vgs=10 В).
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 Вт.
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): 10 В (типовое значение 3 В).
• Температура перехода (t): До 150°C.