IRF520PBF, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N Channel, Id=9.2A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=60W, корпус- TO-220AB-3, t-175°C

IRF520 — это N-канальный МОП-транзистор (MOSFET), который используется в качестве силового ключа для управления нагрузками постоянного тока, такими как двигатели, лампы и светодиодные ленты, особенно в проектах с микроконтроллерами типа Arduino. Он отличается высокой скоростью переключения и хорошей проводимостью открытого канала, что делает его идеальным для импульсных источников питания и регуляторов мощности. Для работы с нагрузками свыше 1 А необходим радиатор, так как при таких токах возникает сильный нагрев. 

Описание и характеристики

• Тип:
  
  N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором, разработанный компанией International Rectifier (сейчас Infineon). 
• Рабочее напряжение:
  
  Обычно используется в модулях с напряжением управления от 3,3 В до 5 В, что позволяет управлять им с помощью микроконтроллеров. 
• Ток:
  
  способен пропускать до 5 А без радиатора при низких токах, но при токах свыше 1 А требуется охлаждение. 
• Напряжение:
  
  выдерживает напряжение нагрузки до 100 В. 
• Принцип работы:
  
  при подаче высокого уровня управляющего напряжения на затвор (обычно от 3,4 В и выше) транзистор открывается и пропускает ток через нагрузку. 

Применение

• Управление нагрузками:
  
  используется как силовой ключ для коммутации двигателей, светодиодных лент, помп, реле и других потребителей постоянного тока. 
• Проекты с микроконтроллерами:
  
  популярен в проектах с Arduino, ESP32 и Raspberry Pi для управления мощными устройствами через низковольтные сигналы. 
• ШИМ-управление:
  
  подходит для реализации ШИМ (широтно-импульсной модуляции), что позволяет не только включать/выключать нагрузку, но и регулировать ее мощность, например, в светодиодных регуляторах. 
• Импульсные источники питания:
  
  благодаря своей высокой скорости переключения и проводимости, IRF520 также применяется в схемах импульсных источников питания и преобразователей. 

Важные особенности

• Нужен радиатор:
  
  для нагрузок выше 1 А требуется дополнительное охлаждение, чтобы предотвратить перегрев транзистора. 
• Открытие при 5 В:
  
  IRF520 плохо открывается при 5 В, для надежной работы рекомендуется использовать более высокое управляющее напряжение или другой транзистор, который открывается при низком напряжении (от 3 В).