MTD 2955E, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

TMOS E-FET P-Channel MOSFET Id=12A, Vds=60V, Rds(on)=0.30 Ohm, Pd=75W,

MTD2955E Сведения о продукте

Мощный полевой транзистор TMOS E-FET DPAK для поверхностного монтажа P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

Этот усовершенствованный TMOS E–FET разработан для выдерживания высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Новая энергоэффективная конструкция также предлагает диод сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для низковольтных высокоскоростных коммутационных приложений в источниках питания, преобразователях и ШИМ-управлении двигателями, эти устройства особенно хорошо подходят для мостовых схем, где скорость диода и коммутационные безопасные рабочие области имеют решающее значение, и обеспечивают дополнительный запас прочности против неожиданных переходных напряжений.

• Указана энергия лавины

• Время восстановления диода исток-сток сопоставимо с дискретным быстровосстанавливающимся диодом

• Диод рассчитан на использование в мостовых схемах

• IDSS и VDS(on) указаны при повышенной температуре

• Корпус для поверхностного монтажа доступен в ленте и катушке 16 мм, 13 дюймов/2500 единиц, добавьте суффикс T4 к номеру детали

• Заменяет MTD2955