STW45NM60, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Наименование прибора: STW45NM60

Маркировка: W45NM60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 96 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 1250 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO247

Транзистор STW45NM60 от STMicroelectronics представляет собой мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в ключевых (импульсных) приложениях, таких как импульсные источники питания (SMPS), центры обработки данных и солнечные микроинверторы. 

Основные характеристики и описание

STW45NM60 использует технологию MDmesh™, которая обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии и отличные динамические характеристики. 

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET.

• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 650 В.

• Максимальный постоянный ток стока (Id): 45 А при температуре корпуса 25°C.

• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): типичное значение 0.09 Ом при Vgs=10В и Id=22.5А.

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 Вт.

• Корпус: TO-247.

• Особенности: Высокая устойчивость к dv/dt (скорости нарастания напряжения) и лавинному пробою, низкий заряд затвора и низкое сопротивление затвора. 

Применение

Благодаря своим характеристикам, STW45NM60 идеально подходит для высокоэффективных применений, требующих быстрого переключения и высокой мощности. Основные области применения: 

• Импульсные источники питания (SMPS).

• Приложения преобразования энергии.

• Инверторы для солнечной энергетики.

• Центры обработки данных. 

Проверка транзистора

Для базовой проверки N-канального MOSFET, такого как STW45NM60, можно использовать мультиметр в режиме прозвонки диодов: 

• Подготовка: Убедитесь, что транзистор не находится под напряжением. Расположение выводов (G - затвор, D - сток, S - исток) можно найти в техническом описании (datasheet).

• Проверка встроенного диода: Подключите красный щуп мультиметра к истоку (S), а черный щуп к стоку (D). Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем защитном диоде (обычно в диапазоне 400-900 мВ).

• Открытие транзистора: Не отключая щупы (красный на S, черный на D), кратковременно прикоснитесь красным щупом к затвору (G), чтобы подать на него положительное напряжение (открыть канал).

• Проверка открытого состояния: Верните красный щуп обратно на исток (S) (черный щуп остается на D). Если транзистор исправен и открылся, мультиметр покажет низкое сопротивление или близкое к нулю значение (режим короткого замыкания).

• Закрытие транзистора: Для проверки закрытого состояния, прикоснитесь черным щупом к затвору (G), чтобы снять заряд.

• Повторная проверка закрытого состояния: Снова подключите красный щуп к истоку (S), а черный к стоку (D). Мультиметр должен вернуться к первоначальному высокому значению сопротивления/падения напряжения диода. 

Если транзистор не реагирует на открытие/закрытие затвора или постоянно показывает короткое замыкание между стоком и истоком, он, вероятно, неисправен