HGT1S7N60A4DS9A (G7N60A4D), покупаем в интернете - получаем у себя дома.

SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, Vces=600V, Ic=34A, Pd=125W, Vce(sat)=1,9V

HGTG7N60A4D, HGTP7N60A4D и HGT1S7N60A4DS — высоковольтные переключатели с МОП-транзисторами

устройства, сочетающие в себе лучшие характеристики MOSFET и биполярные транзисторы. Эти устройства имеют высокий вход импеданс MOSFET и низкая проводимость в открытом состоянии выход из строя биполярного транзистора. Значительно более низкое напряжение в открытом состоянии падение колеблется лишь умеренно между 25°C и 150°C.

Используемый IGBT представляет собой тип разработки TA49331. Диод В антипараллельной схеме используется разработка типа TA49370.

Этот IGBT идеально подходит для многих коммутаций высокого напряжения. приложения, работающие на высоких частотах, где низкие потери проводимости существенны. Это устройство было оптимизирован для высокочастотного импульсного режима мощности запасы

Функции

• Работа >100 кГц при 390 В, 7 А

• Работа на частоте 200 кГц при 390 В, 5 А

• Переключение 600 В, возможность SOA

• Типичное время падения. . . . . . . . . . . . . . . . . 75 нс в TJ

= 125°С

• Низкие потери проводимости